HAST高壓老化試驗(yàn)箱測(cè)試芯片技術(shù)規(guī)范

HAST高壓老化試驗(yàn)箱測(cè)試芯片技術(shù)規(guī)范

一、簡(jiǎn)介

HAST高壓加速老化試驗(yàn)是一種評(píng)估非密封封裝器件在高溫、高壓、潮濕環(huán)境下可靠性的試驗(yàn)方法。它采用嚴(yán)格的溫度、濕度、大氣壓、電壓條件，這些條件會(huì)加速水分滲透到材料內(nèi)部與金屬導(dǎo)體之間的電化學(xué)反應(yīng)，從而評(píng)估器件的可靠性。本規(guī)范適用于量產(chǎn)芯片驗(yàn)證測(cè)試階段的HAST測(cè)試需求，僅針對(duì)非密封封裝(塑料封裝)，帶偏置(bHAST)和不帶偏置(uHAST)的測(cè)試。

二、HAST測(cè)試條件

在HAST測(cè)試過程中，需要嚴(yán)格控制溫度、濕度、大氣壓和測(cè)試時(shí)間等條件。在通常情況下，會(huì)選擇HAST高壓加速老化試驗(yàn)箱RK-HAST-350，其溫度設(shè)定為130℃、濕度為85%RH、大氣壓力為230KPa，測(cè)試時(shí)間為96小時(shí)。

在測(cè)試過程中，建議調(diào)試階段監(jiān)控芯片殼溫與功耗數(shù)據(jù)，以推算芯片結(jié)溫。要保證結(jié)溫不能過高，并在測(cè)試過程中定期記錄結(jié)溫?cái)?shù)據(jù)。如果殼溫與環(huán)溫差值或功耗滿足特定關(guān)系時(shí)（見下表），特別是當(dāng)殼溫與環(huán)溫差值超過10℃時(shí)，需考慮周期性的電壓拉偏策略。

三、電壓拉偏策略

對(duì)于bHAST測(cè)試，需要執(zhí)行電壓拉偏操作。所有電源上電，電壓為推薦操作范圍電壓；芯片功耗較小（數(shù)字部分不翻轉(zhuǎn)、輸入晶振短接、其他降功耗方法）；輸入管腳在允許范圍內(nèi)拉高；其他管腳如時(shí)鐘端、復(fù)位端、輸出管腳在輸出范圍內(nèi)隨機(jī)拉高或拉低。

四、樣本量

在進(jìn)行HAST測(cè)試時(shí)，需要確定合適的樣本量。樣本量是指用于測(cè)試的芯片數(shù)量，它會(huì)影響測(cè)試結(jié)果的可信度和統(tǒng)計(jì)意義。通常，樣本量應(yīng)該足夠大，以確保測(cè)試結(jié)果的可靠性，同時(shí)也要考慮測(cè)試成本和時(shí)間限制。

五、失效判據(jù)

在HAST測(cè)試過程中，如果ATE和功能篩片出現(xiàn)功能失效或性能異常，則可以判定為失效。這些失效可能包括但不限于電路故障、信號(hào)錯(cuò)誤、功耗過高或過低等問題。

六、注意事項(xiàng)

在進(jìn)行HAST測(cè)試時(shí)，還需要注意以下幾點(diǎn)：

1. 測(cè)試過程要求每天記錄電源電壓、電流、環(huán)境溫度、殼溫(推算結(jié)溫)等關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
2. 注意芯片內(nèi)部模擬電路是否有上電默認(rèn)開啟的模塊，這樣的模塊會(huì)導(dǎo)致靜態(tài)電流太大，引起其他機(jī)制的失效。
3. 調(diào)試過程注意，考慮到較大的電流引起壓降，記錄的電壓應(yīng)該是到板電壓而不是電源源端電壓。
4. 調(diào)試過程注意，室溫條件下的電源電壓與規(guī)定要求下的電源電壓不同，可以在室溫下初調(diào)，待試驗(yàn)環(huán)境到達(dá)HAST設(shè)定條件后做終調(diào)試。